Утечка конфиденциального документа подтверждает, что Intel собирается придерживаться стратегии Tick-Tock как минимум до 2018 г. К этому времени корпорация планирует приступить к выпуску процессоров на основе 10-нм технологической нормы.
Крупнейший в мире производитель полупроводников Intel к 2018 г. планирует приступить к выпуску процессоров с использованием 10-нм технологии. Ранее в компании говорили о том, что выпуск чипов с 10-нм транзисторами технически возможен - срок перехода же стал известен из внутреннего слайда, оказавшегося в распоряжении немецкого ресурса ComputerBase.
1 нанометр (нм) равен одной миллиардной метра. Для сравнения, первый процессор Intel, 8086, вышедший в 1978 г., был изготовлен на основе технологического процесса в 3 мкм (3000 нм), а диаметр человеческого волоса составляет 80 мкм. Техпроцесс в производстве микросхем определяет размеры элементарных элементов, коими являются транзисторы. Чем меньше транзистор, тем их большее число можно разместить на кристалле, тем выше производительность и ниже энергопотребление.
Исходя из слайда, как минимум в течение указанного срока Intel планирует придерживаться стратегии Tick-Tock. Согласно этой стратегии, каждый цикл которой занимает 2 года, в первый год компания переходит на новую микроархитектуру, а во второй - используя эту же архитектуру, уменьшает технологическую норму.
Например, современные процессоры с архитектурой Sandy Bridge производятся на базе 32-нм технологии. До конца текущего года Intel намерена приступить к выпуску первых чипов с нормой 22 нм. Такие процессоры будут обозначаться как Ivy Bridge, но в их основе будет лежать прежняя архитектура. В 2013 г. будет совершен следующий шаг - архитектура Sandy Bridge сменится на Haswell, а технологический процесс останется прежним. Затем, примерно через год, вновь уменьшится процесс, и так далее.
Похоже, что внедрение 10-нм технологии произойдет не так скоро, как предположил Патрик Гелсингер
Intel инвестирует значительные средства в развитие технологий производства. Так, в октябре 2010 г. в корпорации заявили, что планируют потратить от $6 млрд до $8 млрд на 22-нм технологию, включая создание новых заводов в США, что позволит создать 6-8 тыс. новых рабочих мест на этапе строительства и 800-1000 постоянных рабочих мест по завершении.
Недавно вендор принял решение ускорить темпы развития линейки процессоров Atom и в течение следующих 3 лет попытается трижды сменить технологический процесс, то есть действовать быстрее, чем определяет стандартная стратегия. Компании не удается закрепиться в сегменте смартфонов и таким образом она намерена выпустить конкурентоспособные решения. Более активные инвестиции ведут к повышению текущих расходов. Например, в последнем квартале они оказались на $800 млн выше прогнозируемого значения.
К слову, разработкой 10-нм технологий занимаются и другие фирмы. В ноябре прошлого года к деятельности Intel в этом направлении присоединились Samsung и Toshiba, являющиеся соответственно первым и вторым по величине поставщиками чипов флэш-памяти, широко используемой в потребительской электронике. В 2008 г. вице-президент Intel Digital Enterprise Group Патрик Гелсингер (Patrick Gelsinger) предположил, что переход на 10-нм норму будет осуществлен к 2012 г. Ранее в июле американские ученые сообщили, что нашли способ изготовления чипов с топологическим размером элемента 9 нм.
Источник: CNews
Крупнейший в мире производитель полупроводников Intel к 2018 г. планирует приступить к выпуску процессоров с использованием 10-нм технологии. Ранее в компании говорили о том, что выпуск чипов с 10-нм транзисторами технически возможен - срок перехода же стал известен из внутреннего слайда, оказавшегося в распоряжении немецкого ресурса ComputerBase.
1 нанометр (нм) равен одной миллиардной метра. Для сравнения, первый процессор Intel, 8086, вышедший в 1978 г., был изготовлен на основе технологического процесса в 3 мкм (3000 нм), а диаметр человеческого волоса составляет 80 мкм. Техпроцесс в производстве микросхем определяет размеры элементарных элементов, коими являются транзисторы. Чем меньше транзистор, тем их большее число можно разместить на кристалле, тем выше производительность и ниже энергопотребление.
Исходя из слайда, как минимум в течение указанного срока Intel планирует придерживаться стратегии Tick-Tock. Согласно этой стратегии, каждый цикл которой занимает 2 года, в первый год компания переходит на новую микроархитектуру, а во второй - используя эту же архитектуру, уменьшает технологическую норму.
Например, современные процессоры с архитектурой Sandy Bridge производятся на базе 32-нм технологии. До конца текущего года Intel намерена приступить к выпуску первых чипов с нормой 22 нм. Такие процессоры будут обозначаться как Ivy Bridge, но в их основе будет лежать прежняя архитектура. В 2013 г. будет совершен следующий шаг - архитектура Sandy Bridge сменится на Haswell, а технологический процесс останется прежним. Затем, примерно через год, вновь уменьшится процесс, и так далее.
Похоже, что внедрение 10-нм технологии произойдет не так скоро, как предположил Патрик Гелсингер
Недавно вендор принял решение ускорить темпы развития линейки процессоров Atom и в течение следующих 3 лет попытается трижды сменить технологический процесс, то есть действовать быстрее, чем определяет стандартная стратегия. Компании не удается закрепиться в сегменте смартфонов и таким образом она намерена выпустить конкурентоспособные решения. Более активные инвестиции ведут к повышению текущих расходов. Например, в последнем квартале они оказались на $800 млн выше прогнозируемого значения.
К слову, разработкой 10-нм технологий занимаются и другие фирмы. В ноябре прошлого года к деятельности Intel в этом направлении присоединились Samsung и Toshiba, являющиеся соответственно первым и вторым по величине поставщиками чипов флэш-памяти, широко используемой в потребительской электронике. В 2008 г. вице-президент Intel Digital Enterprise Group Патрик Гелсингер (Patrick Gelsinger) предположил, что переход на 10-нм норму будет осуществлен к 2012 г. Ранее в июле американские ученые сообщили, что нашли способ изготовления чипов с топологическим размером элемента 9 нм.
Источник: CNews
Комментариев нет:
Отправить комментарий